国产SSD奋起直追:中韩闪存芯片技术差已缩短至2年

国产存储芯片正蓬勃发展,代表企业有合肥长鑫(DRAM)、武汉长江存储等。日前,韩国研究机构OERI在一份报告中分析指出,中韩DRAM芯片技术的差距大约是5年,NAND闪存芯片则已

国产存储芯片正蓬勃发展,代表企业有合肥长鑫(DRAM)、武汉长江存储等。

日前,韩国研究机构OERI在一份报告中分析指出,中韩DRAM芯片技术的差距大约是5年,NAND闪存芯片则已经缩短至2年。

据悉,长江存储从2021年8月开始量产64层3D NAND,比三星、SK海力士只晚了两年。至于更先进的超200层3D闪存,三星和SK海力士需要等到明年初,预计长江存储会在2024年做到这一点。

不过,报告认为有个变量是如果苹果真的为旗下产品比如iPhone引入长江存储的芯片,那么或将起到打破产业链格局的作用。

国产SSD奋起直追:中韩闪存芯片技术差已缩短至2年

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